个人信息

姓  名: 沈光煦 性  別: 导师类型: 硕士生导师
技术职称: 副教授 电子邮箱: shenguangxu@njupt.edu.cn
学术型硕士招生学科: (080904)电磁场与微波技术
专业型硕士招生类别(领域): (085400)电子信息
photo

个人简介:

沈光煦,中共党员,工学博士,硕士生导师。

2010.09-2014.07,南京理工大学,钱学森学院(优才计划实验班),学士

2014.02-2014.05,慕尼黑工业大学,纳米电子所

2014.09-2019.11,南京理工大学,电子工程与光电技术学院,博士

2017.05-2018.05,香港城市大学,太赫兹与毫米波国家重点实验室,助理研究员

2020.01至今,      南京邮电大学,电子与光学工程学院、柔性电子学院,讲师

学术任职

IEEE Member

电子学会 会员

IEEE Microwave Theory & Techniques Society, Education Committee, MVC Sub-Committee, Co-Chair

担任PIERS2021, IWS2021, IWS2022, IMWS-AMP2022UCMMT2023等多个国际会议分会场主席

承担的项目情况:

[1] 国家自然青年科学基金,结题,项目负责人。

[2] 江苏省自然科学青年基金项目,结题,项目负责人。

[3] 毫米波国家重点实验室开放课题,结题  ,项目负责人。

[4] 广东省毫米波与太赫兹重点实验室开放课题,结题  ,项目负责人。

[5] 江苏省高等学校自然科学研究面上项目,结题,项目负责人。

[6] 装备预研领域基金项目,在研,项目负责人。

[7] 航天科技横向项目,在研,项目负责人。

教育教学:

承担《微波与天线测量》、《电工电子基础实验A/B》等课程,担任本科生班导师并获得过优秀班主任称号。   











研究领域:

1.研究方向

主要研究面向B5G/6G、卫星通信、雷达系统的射频芯片设计,基于三维封装和半导体工艺平台,重点开展射频集成电路设计方法、多功能前端芯片拓扑等研究工作,主要包括:

 1)无源集成电路设计,包括三维集成滤波器、半导体片上滤波器/耦合器/功分器等;

 2)半导体控制电路设计,包括射频片上开关、移相器、衰减器等;

 3)射频前端模块设计,包括开关、低噪声放大器集成技术。

2.主要成果

近年来在国际学术期刊、会议上发表录用论文40余篇,其中Transactions系列20余篇,微波领域顶级期刊之一 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 10余篇;授权国家发明专利6项,申请国际PCT专利2项。

个人学术主页:https://www.researchgate.net/profile/Guangxu-Shen

近三年部分代表性成果

[1] G. Shen, Z. He, W. Feng, B. Wen, Q. Xue and W. Che, "Lumped-Distributed On-Chip Resonators With Multistubs Reused and Its Application to Stopband Extended IPD Bandpass Filters,"IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2023 TOP期刊

[2] G. Shen, W. Yang, W. Feng, Q. Xue and W. Che, "Vertically Stacked Millimeter-Wave LTCC Filters With Cavity-Mode Suppression for System-in-Package Application," IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2023  TOP期刊

[3] G. Shen, H. Zhu, Q. Cai, D. Zeng, Q. Xue and W. Che, "Compact Multipole GaN-on-Si SPDT Switch Using Inductive Parasitic Effects of Hybrid HEMT Devices," IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2023.  TOP期刊

[4] G. Shen, H. Zhu, Q. Xue and W. Che, “An 11–40-GHz High-Power Switch With Miniaturized High-Order Topology Using 100-nm GaN-on-Si HEMTs,” IEEE Trans. Electron Devices, 2022.

[5] G. Shen, H. Zhu, D. Zeng, Q. Xue and W. Che, "A Ka-Band High-Power Switchable Filtering Power Combiner MMIC in 100-nm GaN-on-Si," IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2022 TOP期刊

[6] G. Shen, W. Che, H. Zhu, F. Xu and Q. Xue, "Analytical Design of Millimeter-Wave 100-nm GaN-on-Si MMIC Switches Using FET-Based Resonators and Coupling Matrix Method," IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2021. TOP期刊

[7] G. Shen, W. Feng, W. Che, Y. Shi and Y. Shen, "Millimeter-Wave Dual-Band Bandpass Filter With Large Bandwidth Ratio Using GaAs-Based Integrated Passive Device Technology," IEEE Electron Device Letters, 2021.

[8] G. Shen, W. Che, W. Feng and Q. Xue, "High-Isolation Topology for Filtering Power Dividers Based on Complex Isolation Impedance and Surface Wave Suppression," IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2021. TOP期刊

3.招生情况

本课题组致力于形成小而精的研究小组,看重每个学生的个人成长,致力于培养学生的科研素养和解决实际问题的能力,形成相互协作、共同进步的团队氛围。

旨在做有价值、有前景的学术研究,解决产业界瓶颈问题。可推荐毕业生就读国外高校、国内985高校,就业去向包括卓胜微、慧智微、华为、中电55所等射频大厂及研究所。

招收勤勉、细致、真诚、可靠的学生,本科绩点靠前、通过英语六级的同学优先。诚挚欢迎有志在射频IC、通信、半导体等领域找到事业起点的学生们,愿我们共同努力、一起成长!(感兴趣的同学请在邮件中附上简历、成绩单及绩点排名)











科研项目:

代表性学术成果:

指导的优秀研究生代表: