本人先后承担了多项国家重大专项课题与国防预研课题，作为TR组件负责人承担了两项国家重大武器装备的研制任务，为我国核心电子器件的自主可控以及GaN器件在电子系统中的应用作出了重大贡献： 通过课题研究得出了应用验证体系文件，该文件体系的建立对新研核心电子器件进入电子设备系统应用提供了理论支持，大量核心电子器件通过应用验证进入了我国武器装备系统中，国产化率大幅提升，已逐步摆脱了核心电子器件对国外的依赖； 通过GaN大功率MMIC器件在TR组件的应用研究，特别是“核高基”宽推工程的实施，大量GaN器件进入了我国重要的国防装备中，对我国国防电子装备的升级换代起到了不可估量的作用；研制了基于 GaN大功率器件（输出功率达到40W） 的双极化TR组件与四通道的大功率GaN （输出功率达到15W） TR组件，此两款组件已大批量在新一代武器装备中应用。
