2013年6月博士毕业于南京大学固体微结构物理国家重点实验室。2013年8月至今任职于南京邮电大学，微电子与固体电子学专业副教授，主要从事低功耗负电容FinFET（GAAFET）和电卡及多卡效应方面研究工作。近年来主持承担了多个国家及省部级项目。在EES、Nano Energy、PRB、JAP、物理学报等国际国内学术期刊上共发表SCI论文40篇。现任中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专业委员会委员。获得2022年度中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专业委员会“国瓷新材料奖”优秀论文奖。目前指导2名研究生分别获得2022、2023年度校级优秀硕士论文。

研究方向：1低功耗铁电负电容场效应晶体管的数学解析和仿真模拟；2铁电拓扑畴壁新奇特性及其在未来新型存储器中的应用;3基于电卡及多卡效应的新型固态芯片制冷.要求学生有较好的数学物理、编程能力和积极上进的品质.

近五年发表的主要学术论文：
1. Gang Bai*, Yuhang Chen, Guoliang Yuan*, and Cunfa Gao, Negative longitudinal piezoelectricity in epitaxial perovskite ferroelectric films. Phys. Rev. B 2025, 111: 064104.

2.纪婷伟, 白刚*. 双轴错配应变对铁电双栅负电容晶体管性能的影响[J]. 物理学报, 2023, 72(6): 067701.

3.Yankai Zhu, Gang Bai*, Wei Li, Cunfa Gao, Phase-field simulation of nonvolatile ferroelectric-domain-wall memory. J. Appl. Phys. 2022, 132: 234102.(Editor’s Pick)
4.Gang Bai*, Yuhang Han, Wei Li, and Cunfa Gao, Low-symmetry ferroelectric phases stabilized by anisotropic misfit strain. Phys. Rev. B 2022, 106:184105.（中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专业委员会“国瓷新材料奖”优秀论文奖）

5.白刚*, 韩宇航, 高存法, (111)取向无铅K0.5Na0.5NbO3外延薄膜的相变和电卡效应: 外应力与错配应变效应.物理学报， 2022, 71(9): 097701. (编辑推荐)
6.白刚*,林翠,刘端生,许杰, 李卫,高存法, 取向相关的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3外延薄膜的相图和介电性能, 物理学报， 2021, 70:127701.
7.林翠, 白刚*，李卫，高存法, 外延PbZr0.2Ti0.8O3薄膜负电容的应变调控, 物理学报， 2021, 70:187701.
8. Duansheng Liu, Gang Bai*, Cunfa Gao, Phase diagrams classification based on machine learning and phenomenological investigation of physical properties in K1-xNaxNbO3 thin films J. Appl. Phys. 2020,127:154101.
9.Gang Bai*, Duansheng Liu, Cunfa Gao, Phenomenological analysis of elastocaloric effect in ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymers, J. Appl. Phys. 2019, 126：164105. (Editor’s Pick)
10.Biaolin Peng, Qi Zhang*, Bai Gang, Glenn J. T. Leighton, Christopher Shaw, Steven J. Milne, Bingsuo Zou, Wenhong Sun, Haitao Huang* and Zhonglin Wang*, Phase-transition induced giant negative electrocaloric effect in a lead-free relaxor ferroelectric thin film, Energy Environ. Sci., 2019, 12(5)：1708-1717.