研究方向：光微机电系统、化合物半导体以及集成光电子器件与系统。

研究项目：

1.国家自然科学基金项目：基于光微机电系统集成制备波长可调氮化物激光器的基础研究，80万元，负责人

2.国家自然科学基金项目：基于单晶 n-ZnO/p-AlGaN LED 结构的谐振光栅制备 DFB 激光器的基础研究，78万元，负责人

3.国家自然科学基金项目：微波器件应用高温超导大面积双面铊系薄膜的研制，10万元，负责人

4.江苏省自然科学基金项目：硅基氮化物可见光器件的微机电调控与集成制备，10万元，负责人

5.日本文部省学术振兴会项目：氮化物半导体与硅微机电系统集成光电子器件的制备及特性研究，442万日元，负责人

6.江苏省六大人才高峰项目：波长可调GaN激光器，3万元，负责人

7.南京邮电大学人才引进项目：微机电系统集成制备氮化物、氧化锌光电子器件的研究，75万元，负责人

8.2012年江苏省创新团队-南京邮电大学Peter Grünberg团队（2013-2015）核心成员

9.Peter Grünberg研究中心首期平台建设项目，南京邮电大学重大实验室建设项目，排名第四

10.日本文部省学术振兴会重点项目：氮化物半导体与硅集成光微系统的研究，1.089亿日元，排名第四

11.日本总务省战略的情报通信研究开发推进制度项目：超低电力消耗Si纳米线MEMS可调光回路的研究开发，4500万日元，排名第三

研究成果：设计并制备了几种具有重要学术和经济价值的新型核心光电子器件。

1.利用分子束外延设备在阵列Si微结构和平面Si表面生长氮化物量子井、量子点、发光二极管、AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构以及树枝状氮化物纳米柱，并在此基础上制备了InGaN/GaN蓝光发光二极管。

2.利用硅基板上生长的平整氮化物半导体，进行微加工制备氮化物谐振光栅。得到自支撑的含有InGaN/GaN量子井悬空谐振光栅，并得到可用于光通信领域的1.55纳米反射光谱。 

3.氮化物半导体光源与硅基光微机电系统的一体集成技术，基于硅基板上生长的GaN基LED结构，对氮化物半导体光源与硅基光微机电系统的一体集成进行了系统的研究。制备了由硅微驱动器提供动力的InGaN/GaN-LED微扫描仪。其中的GaN-LED在加压4V时开始发光，4.5V时电流达12mA。另外，也制备了GaN-LED和Si微驱动器一体集成的氮化物可变光分布器件以及GaN-LED、Si光子探测器和PDMS微流路系统一体集成的生物荧光分析微系统芯片。 

4.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与硅微机电系统的集成制备新型电子器件，这是一个非常具有应用前景的研究方向。AlGaN/GaN HEMT的二维电子气和压电效应集成Si-MEMS结构不仅能够增强传统的传感器的功能、可靠性和灵敏度，并开用于开发新型的集成电子器件。利用分子束外延方法方法在Si基板上制备AlGaN/GaN晶体管结构，利用射频磁控溅射和热蒸发沉积电极和微加工方法制备晶体管的Source、Drain和Gate电极并得到典型的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的电性能。将HEMT下面的Si衬底全部刻蚀掉并在真空中将Si焊接上玻璃得到微型压力传感器。 

5.硅基板上氮化物微驱动器的微加工制备。氮化物半导体微驱动器在今后的氮化物半导体器件集成中愈显重要。基于微加工技术进行了GaN微驱动器的设计和微加工，得到了在加压100V时位移达到800纳米的GaN微驱动器。这是世界上首次制备的氮化镓基微型驱动器。 

6.在阵列GaN-LED/Si基板的Si单晶一侧加工微槽制备微流路冷却系统，为硅基GaN-LED发光阵列的散热提供解决方案。利用硅微加工工艺选择性深刻蚀的硅结构，刻蚀深度达到200微米，可作为流路通道。 

7.在北京科技大学攻读博士学位期间（1999.3-2002.3，葛昌纯院士研究组）致力于溶胶凝胶自燃合成电子氧化物纳米颗粒（BaTiO3、ZrO2、Al2O3和TiO2）的研究。

8.在中科院物理所超导国家重点实验室博士后工作期间（2002.4-2004.7，李林院士、郑东宁教授研究组），利用脉冲激光沉寂和高温后退火工艺制备了大面积双面铊系高温超导氧化物薄膜，超导温度达到106K，为后继的超导滤波器和其它的微波器件的研制打下基础。