方贺男，男，1984年10月生，博士，南京邮电大学电子与光学工程学院副教授，2007年6月毕业于南京大学理科强化部物理学专业，获学士学位，2012年9月毕业于南京大学物理学院微电子学与固体电子学专业，获博士学位。2012年10月至南京邮电大学电子科学与工程学院工作，研究方向为自旋电子学和扭旋电子学。现主持或已结题国家自然科学基金青年基金、江苏省自然科学基金青年基金、江苏省高校自然科学基金等多项科研项目。迄今，在Applied Physics Letters、New Journal of Physics、ACS Applied Electronic Materials、Journal of Physcis D: Applied Physics等国际SCI期刊上以第一作者或者通讯作者发表论文二十余篇。

主要从事自旋电子学和扭旋电子学的研究。包括：单晶势垒磁性隧道结的隧穿磁阻理论研究；二维材料莫尔超晶格电子输运的理论研究；磁性材料的磁结构对称性的理论研究。 主要成果为发展建立了新的基于光学方法的隧穿磁阻理论，该理论较好地解释了MgO基磁性隧道结的实验结果；建立了基于衍射物理方法的二维材料莫尔超晶格隧穿电导理论模型，该理论较好地解释了扭转双层石墨烯等物理体系的实验结果；利用朗道二级相变理论分析了各种晶体结构的铁氮化合物的磁结构对称性，得到了它们的磁点群以及易磁化轴方向。