陈琳, 男, 1980年生, 毕业于南京大学物理学系, 获微电子学与固体电子学博士学位。 2009年起在南京邮电大学电子科学与工程学院工作。教学方面担任电子技术和集成电路技术的授课工作；科研方面，主要方向为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料和器件的研究。目前承担南京邮电大学引进人才启动项目一项，参与国家自然科学基金面上项目和青年基金基础上各一项。

主要研究方向为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料和器件。特别致力于氢化物气相外延（HVPE）技术生长GaN材料，曾使用自制氢化物气相外延(HVPE)系统，生长出国内首块2英寸自支撑氮化镓外延片。 近年来，基于宽带隙半导体的电子器件以超过30%的年增长速度发展。宽带隙半导体又称第三代半导体材料，其中以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在行业中居于基础性的领导地位。这样的成长与多种因素有密切关系，但最主要的是衬底材料的发展。为提高蓝紫光光电器件的运行效率和寿命，对同质外延衬底的需要愈加迫切。当前采用HVPE方法生长GaN厚膜并剥离的方法是获得GaN块状衬底最为可行的手段。因而近年来关于GaN体材料的HVPE制备及优化技术研究成为热点领域。 我在多年实验工作中积累了CVD设备构建、操作以及进行薄膜材料制备和表征的丰富经验。材料是为器件服务的，优秀的材料，其质量最终要在器件上得到体现，因此我们在工作中频繁接触GaN/AlGaN/InGaN基LED、激光器（LD）以及光电探测器件的设计、模拟、生长、封装、测试等环节。宽带隙半导体材料质量的优劣是影响蓝紫光LED器件的发光强度、效率和寿命等参数高低的根本性因素；而器件设计封装工艺又决定了材料性能发挥的程度；当芯片在白光照明领域应用时，出光部件的组装、外围电路的设计配置、供电与散热的处理等环节则将最终显示出新一代半导体照明产品的高亮度、低成本、长寿命、节能环保等时代性的领先优势。 附：近五年代表性成果 1论文 The effect of the annealing on the thermal expansion behavior of free-standing GaN Journal of Rare Earths，2007 The growth of GaN films on Si substrates by HVPE 5th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing，2006 Study of the defects in GaN epitaxial films grown on Sapphire by HVPE Thin film physics and applications， 在研项目 1 氮化镓薄膜外延生长的动力学研究 校引进人才项目NY209009 2009.1-2011.12 4.5万元 2 SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究 国家自然科学基金（61076073/F040403） 2011.1-2013.12 37万元 3 Fe3N/GaN纳米复合颗粒微结构及磁性研究 国家自然科学基金（61106009/F040104） 2012.1-2014.12 28万元 专利 1 制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法 专利号200510095245，2008年1月授权 3/11(主要发明人) 2 利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜 专利号200410041443，2007年7月授权 3/13 3 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 专利号200410065676，2007年2月授权 3/12 4 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法 专利号200410041436，2007年8月授权 4/12