陶志阔，江苏徐州人，1981年9月生。2004年6月毕业于南京大学物理系（磁学专业），获学士学位，2010年3月毕业于南京大学物理系（微电子学与固体电子学专业），获博士学位；2008年10月至2009年4月通过教育部公派项目于悉尼大学进行合作研究。作为项目负责人，主持国家自然科学基金面上、青年科学基金、江苏省高校自然科学基金和南京邮电大学引进人才基金等科研项目。   

1. 自旋电子学材料与器件，尤其是自旋拓扑结构（Skyrmion, Hopfion等）相关微纳电子学器件研究；
2. 宽禁带半导体材料与器件，尤其是以GaN为代表的III族氮化物基光电信息功能材料与器件研究。