个人信息

姓  名: 于志浩 性  別: 导师类型: 博士生导师
技术职称: 教授 电子邮箱: zhihao@njupt.edu.cn
学术型博士招生学科: (140100)集成电路科学与工程
学术型硕士招生学科: (080903)微电子学与固体电子学
专业型硕士招生类别(领域): (085403)集成电路工程
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个人简介:

        于志浩,南京邮电大学教授,博士研究生导师,国家级青年人才项目获得者。长期从事面向AI计算加速的二维器件与集成技术(2D Materials for AI)、先进逻辑与存储器研究。主持国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金青年项目、优秀青年项目等。相关研究成果发表相关论文70余篇,论文引用超过6000次,其中,以第一/通讯作者(含共同)在NatureNature 子刊IEEE IEDM等顶级期刊、会议发表论文40余篇,作为领域里程碑式进展被广泛引用评价。成果获江苏材料学会科技技术奖一等奖、中国半导体十大研究进展、中国光学十大进展、“互联网+”全国金奖等奖励荣誉。

        团队长期与国内顶尖高校、国家实验室以及国内某先进制程半导体公司开展研究生联合培养工作,欢迎有志于下一代AI计算架构、先进逻辑、新型存储器相关研究的优秀同学报考。



研究领域:

1. 面向AI计算加速的器件与集成架构:新型存储器、存内计算、三维集成等

2. 面向先进制程的新型器件集成技术:二维半导体、FD-SOI等

3. 半导体器件物理、输运、模型研究:低温量测、TCAD、SPICE等








科研项目:

在研项目:

    重点研发计划青年科学家项目(主持,2024)

    国家自然科学基金优青青年科学基金(主持,2024)

    国家自然科学基金青年科学基金(主持,2023)

    南京市U35强基工程项目(主持,2025)

结题项目:

    国家自然科学基金重点项目课题(2019-2023); 江苏省SC计划(2021-2022);南京邮电大学高层次人才启动经费 (2020-2023)

代表性学术成果:

第一/通讯作者代表性论文(近5年):

An index-free sparse neural network using two-dimensional semiconductor ferroelectric field-effect transistors, Nature Electronics (2025)

Approaching the quantum limit in two-dimensional semiconductor contacts, Nature 613: 274-279 (2023).

An in-memory computing architecture based on a duplex two-dimensional material structure for in situ machine learning, Nature Nanotechnology 18, 493-500 (2023).

From Lab to Fab: the Path Forward for 2D Material Electronics, SCIENCE CHINA Information Sciences 66, 6,160411 (2023).

Modify power and performance of two-dimensional MoS2 field effect transistor, Research 6 (2023).

Three dimensional monolithic micro-LED display driven by atomically-thin transistor matrix. Nature Nanotechnology 16, 1231–1236 (2021).

Epitaxial growth of wafer-scale molybdenum disulfide semiconductor single crystals on sapphire. Nature Nanotechnology 16, 1201–1207 (2021). 

Sub-thermionic, ultra-high-gain organic transistors and circuits. Nature Communications 12, 1928 (2021). 

Monolithic 3D μ-LED displays through BEOL integration of large-area MoS2 TFT matrix, IEEE IEDM (2021).

Reducing the power consumption of two-dimensional logic transistors. Journal of Semiconductors 40, 091002 (2019).

Thickness-dependent Asymmetric Potential Landscape and Polarization Relaxation in Ferroelectric HfxZr1-xO2 Thin Films by Interfacial Bound Charges, Advanced Electronic Materials 5, 1900554 (2019).