于志浩，南京邮电大学教授，国家级青年人才项目获得者。本科毕业于中南大学信息科学与工程学院，博士毕业于南京大学电子科学与工程学院，之后分别于南京大学、TSMC Corporate Research、台湾交通大学从事博士后研究工作，2020年加入南京邮电大学从事教学科研工作。于志浩博士长期从事二维半导体器件与电路、铁电存储器与存算一体电路研究，先后获得国家自然科学基金青年项目、优秀青年项目、重点项目支持。相关研究成果发表相关论文40余篇，论文引用超过3000次，其中，以第一/通讯作者（含共同）在Nature、 Nature
Nanotech.、 IEEE IEDM等顶级期刊、会议发表论文20余篇，成果多次刷新二维半导体器件性能记录，被数十位院士、Fellow等作为领域里程碑式进展引用评价。
欢迎有志于高性能逻辑器件、新型存储器、新架构相关研究的优秀同学报考，团队长期与南京大学、香港大学、国家实验室以及国内某先进制程半导体公司开展研究生联合培养工作。
第一/通讯作者代表性论文(近5年)：
Approaching the quantum limit in two-dimensional semiconductor contacts, Nature 613: 274-279 (2023).
An in-memory computing architecture based on a duplex two-dimensional material structure for in situ machine learning, Nature Nanotechnology 18, 493-500 (2023).
From Lab to Fab: the Path Forward for 2D Material Electronics, SCIENCE CHINA Information Sciences 66, 6,160411 (2023).
Modify power and performance of two-dimensional MoS2 field effect transistor, Research 6 (2023).
Three dimensional monolithic micro-LED display driven by atomically-thin transistor matrix. Nature Nanotechnology 16, 1231–1236 (2021).
Epitaxial growth of wafer-scale molybdenum disulfide semiconductor single crystals on sapphire. Nature Nanotechnology 16, 1201–1207 (2021).
Sub-thermionic, ultra-high-gain organic transistors and circuits. Nature Communications 12, 1928 (2021).
Monolithic 3D μ-LED displays through BEOL integration of large-area MoS2 TFT matrix, IEEE IEDM (2021).
Reducing the power consumption of two-dimensional logic transistors. Journal of Semiconductors 40, 091002 (2019).
Thickness-dependent Asymmetric Potential Landscape and Polarization Relaxation in Ferroelectric HfxZr1-xO2 Thin Films by Interfacial Bound Charges, Advanced Electronic Materials 5, 1900554 (2019).
