王彬，1973年5月生，博士，教授。2025年起任南京邮电大学集成电路科学与工程学院（School of Integrated Circuits Science and Engineering）教授（正高级），江苏省“产业教授”。清华大学工程物理系学士、美国马里兰大学（University of Maryland, College Park）微电子可靠性工程博士。曾在美国国家标准技术研究院（NIST）、Impinj Inc.、Virage Logic、Spansion等机构长期从事先进工艺、器件可靠性与嵌入式存储器研发，并曾任上海集成电路研发中心首席架构师。2010年起创办江苏稻源科技集团有限公司并任董事长、技术负责人。2017年入选国家科技部“创新创业人才”，曾获浙江省“特聘教授/钱江学者”，并入选江苏省“双创人才”。 

研究领域聚焦“端侧智能计算 + 存算一体/近存计算 + 嵌入式存储与可靠性 + 低功耗无源物联网”的交叉方向，强调可量产约束下的电路—架构—算法协同：

（1）端侧AI芯片与软硬协同：面向推理加速与能效优化，研究NPU微架构、片上存储层级、数据流/带宽优化、算子支持与工具链协同。
（2）存算一体（Compute-in/near-memory）：面向低比特推理与视觉/感知任务，研究近存计算阵列、误差建模与鲁棒性、映射与编译协同。
（3）嵌入式非易失存储（MTP/EEPROM/eNVM）与可靠性工程：研究器件物理机制、阵列与外围电路、退化机理与加速测试/失效分析。
（4）超低功耗无源物联网（RFID/NFC）与RF/模拟前端：研究射频/模拟前端、基带与协议实现、安全认证与系统集成。

· 累计主持/参与科研项目约20项（累计经费接近人民币1亿元：

· 国家级重大项目（2009）：嵌入式多模多频收发机硬核（Hard IP）研发。 

· 国家科技重大专项（2009）：65/45/32 nm工艺研发与产业化相关任务。 

· 科技部创新基金（2014）：标准CMOS工艺UHF电子标签芯片。

· 江苏省科技支撑计划：标准CMOS工艺UHF电子标签芯片研发。 

· 江苏省产业转型项目（2017）：新一代UHF标签研发与产业化。

· 江苏省自然科学基金（2018）：NFC芯片性能与物联网应用。

· 江苏省前沿技术项目（2024）：存算一体视觉处理芯片关键技术。

· 论文：共发表学术论文约52篇（约30篇期刊、22篇会议）。

· 专利与知识产权：已获授权发明专利80+（含美国专利10项、中国发明专利76项），并拥有多项布图设计与软件著作权。

· 产业化：主导近20颗集成电路芯片研发与产业化；累计出货量超过2000亿颗，企业累计营收超过10亿元人民币。

· 平台建设：建设1个国家级与多个省级研发平台/工程中心。

代表性论文（节选）：

· Bin Wang; J. S. Suehle; E. M. Vogel; J. B. Bernstein, “Time-Dependent Breakdown of Ultra-Thin SiO₂ Gate Dielectrics Under Pulsed Biased Stress,” IEEE Electron Device Letters, 2001.

· J. S. Suehle; E. M. Vogel; P. Roitman; B. Wang; J. B. Bernstein, “Observation of Latent Reliability Degradation in Ultra-Thin Oxides After Heavy-Ion Irradiation,” Applied Physics Letters, 2002.

· Yanjun Ma; T. Gilliland; Bin Wang; …, “Reliability of pFET EEPROM with 70 Å Tunnel Oxide Manufactured in Generic Logic CMOS Processes,” IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2004.

· B. Wang; Y. Ma; R. Paulson; C. Diorio; T. Humes, “Measurement of Ultra-Low Gate Tunneling Currents Using Floating-Gate Integrator Technique,” IEEE Electron Device Letters, 2005.

· Bin Wang; Hoc Nguyen; Yanjun Ma; R. Paulsen, “Highly Reliable 90nm Logic Multi-time Programmable NVM Cells Using Novel Work-Function Engineered Tunneling Devices,” IEEE Transactions on Electron Devices, 2007.

· Yanjun Ma; Rui Deng; H. Nguyen; Bin Wang; …, “Floating-Gate Nonvolatile Memory With Ultra-Thin 5-nm Tunnel Oxide,” IEEE Transactions on Electron Devices, 2008.

· M. Li; Y. Guo; H. Lin; B. Wang, “Capacitance-Voltage Characteristics of Symmetric Stacked Bonding Structure in 3D Integration,” ECS Transactions, 2014.

· Hai Peng Zhang; Qiang Zhang; Mi Lin; Bin Wang, “A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability,” Journal of Semiconductors, 2018. 

· 累计指导研究生：博士生3名、硕士生16名（含合作指导与联合培养）。 

· 优秀研究生代表：文俊才（在职博士，浙江大学学位；在杭州电子科技大学期间参与课题组科研交流与讨论）。